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硅二极管的额定电压是指其反向()。
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硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。()
在相同大小的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常
于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳性能较
。
硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。(小)()
二极管的最高反向工作电压(峰值)就是二极管反向击穿电压值。
二极管的反向击穿电压是指( )。
硅材料稳压二极管的反向击穿电压为()
硅稳压二极管在电路正常工作时的正确接法应将稳压二极管加反向电压()
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为()。
某硅二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()
二极管的最高反向工作电压一定()二极管的反向击穿电压。
硅二极管的型号为ZP100—8F,指的是其额定电流为100A,额定电压800V,正向平均电压(),()的硅整流二极管。
二极管的反向电压过大会使二极管()。
同温下,硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流()
无论锗二极管或硅二极管,其反向电阻都在几十千欧到几百千欧以上()
硅整流二极管的额定电流是指()。
二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压,二极管的PN结立即击穿。
二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压,二极管的PN结立即击穿()
一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为。[难]()
一个硅二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()。
二极管所能承受的最大反向电压称为二极管的()。
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