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要使三极管工作在饱和区,则需发射结反偏,集电结反偏

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三极管的放大条件:发射结反偏、集电结正偏() 三极管的截止条件:发射结反偏、集电结正偏() 三极管处于截止工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于() 对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于( ) 三极管的发射结反偏,集电结正偏时,三极管处于( )状态。 三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为( )。 晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,工作在 三极管处于放大工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于状态() 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏,集电结反偏。 三极管处于饱和状态时,其集电结和发射结都处于反偏。() 三极管处于饱和状态的条件是三极管的发射结和集电结都反偏() 三极管处于饱和状态的条件是三极管的发射结和集电结都反偏。() 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为()。 当三极管的集电结处于正偏,发射结处于反偏时,三极管处于状态 三极管工作在饱和状态时,集电结和发射结均处于正偏() 三极管放大区的放大条件为发射结正偏,集电结反偏。 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为(7)() 三极管工作在放大区时,发射结正偏,集电结也正偏()
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