下述论述中正确的是（）。

关于静电场的电场强度的方向和大小，下述论述中正确的是[ ] 下述论述中，不正确的是_________。 下述论述中，完全正确的是（ ）。 下述论述中不正确的是（） 关于SI单位，下述论述中完全正确的是（） 关于SI单位,下述论述中完全正确的是（） 关于SI单位，下述论述中完全正确的是（） 下述论述中错误的是（） 下述论述中错误的是（）。 下面关于脑膜炎双球菌的论述中正确是（） 下述论述中哪一个是正确的（）？ 设计局部排风罩时，下述论述正确的是( )。 在采用单相重合闸方式时，下述论述是正确的（） 下述论述中哪项是错误的（） 下述药物代谢论述中正确的是 下述药物代谢论述中正确的是（　　） 下述论述中，其中何项是不正确的？（）［2009年真题］ 对于线路零序电流方向保护而言下述论述哪个是正确的（） 下述论述中，哪一个不是？衰变 当用万用表的：R×1000Ω档检查容量较大的电容器质量时，按RC充电过程原理，下述论述中正确的是（）