热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。 灰化过程中形成的灰化层是淀积层（） 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？ 物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。 LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为（） 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（） 干燥速率与哪些因素有关？ 干燥速率与哪些因素有关 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（） 灰化土最大的特点是具有灰化淀积层，灰化土的植被以（）为主。 2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。 中国大学MOOC: CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。 中国大学MOOC: CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。 “荷花淀”“绽开”中“淀”“绽”读音不同。 色淀及以色淀为基本成分的制品 色淀 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。