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关于氧化速率下面哪种描述是正确的()
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关于氧化速率下面哪种描述是正确的()
A. 生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B. 温度升高氧化速率迅速增加
C. (111)硅比(100)硅氧化得快
D. 有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E. 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F. 生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
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