可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）Ｖ

当反向电压大于反向击穿电压时，二极管发生反向击穿 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（） 二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。 可控硅加正向电压即可导通，加反向电压即可关断。（） 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为()。 某硅二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()   硅材料稳压二极管的反向击穿电压为（） 二极管所允许的最高工作电压的峰值等于反向击穿电压（） 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为。[难]（） 一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（）。 在三相半波可控硅整流电路中，可控硅在承受反向电压时（） 什么叫二极管的反向击穿和反向击穿电压？ 可控硅不仅具有反向阻断能力，而且还具有正向阻断能力（） 可控硅不仅具有反向阻断能力，而且还具有正向阻断能力（） 一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为等于75伏（） 可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。 可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压（） 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等