晶体管的高频参数中，大小顺序为（）。（fα共基极截止频率，fT特征频率，fβ共发射极截止频率）。

高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极性晶体管（IGBT）适用的频率更高（） 放大器中晶体管的三种接法是共发射极接法、共集电极接法、共基极接法。 放大器中晶体管的三种接法是共发射极接法.共集电极接法.共基极接法（） 高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双机型晶体管（IG-BT）适用的频率更高（） 晶体三极管的开关特性是指控制基极电流，使晶体管处于放大状态和截止关闭状态。 具有低频高增益高频低增益开环频率特性的系统，其闭环截止频率与开环截止频率基本相同（） 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是()。 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极等3种放大电路中，电压放大倍数最小的是（） 晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的（）特性。 单结晶体管的结构中有基极 单结晶体管的结构中有基极（） 由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极等3中放大电路中，电压放大倍数最小的是（） 双轨高频重塑的第一截止频率为（） 若单位反馈系统具有低频高增益高频低增益的特点，其闭环截止频率与开环截止频率基本相同（） 共基极放大电路比较适合高频场合使用（） 共基极放大电路常用于高频电路中（） 检修时，如使晶体管的基极、集电极短路（即基极—发射极间加上异常电压），则会使晶体管因（）而损坏。 当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于（）。 单结晶体管的结构中有()个基极。