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纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升()
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纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升()
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在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()
P型半导体是在锗硅四价元素中渗入三价元素,它的多数载流子是(),少数载流子是()。
本征硅中掺入Ⅴ价元素杂质,为()型半导体
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y()
p型半导体指在四价元素Si、Ge等中掺入少量三价元素B.Al、SC.Y。()
在纯净的半导体硅中掺入硼元素,则构成了电子型半导体
纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是()型半导体。
在硅和锗的晶体中参入价元素构成P型半导体
在硅和锗的晶体中参入价元素构成N型半导体
P型半导体是在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置形成P型半导体,其靠空穴导电,掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强()
下列那种情况会造成土壤电阻率上升()
在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是()型半导体。
在纯净的半导体中掺入微量的三价元素就成为()型半导体,其中()是多数载流子。
n型半导体指在Si、Ge等四价元素中掺入少量五价元素P、SB.Bi、As。()
半导体热敏电阻率随着温度上升,电阻率( )
半导体热敏电阻率随着温度上升,电阻率( )
PTC半导体热敏电阻率随着温度上升,电阻率( )
纯净的水电阻率很大,为绝缘体。
在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷,可形成()。
在硅或锗本征半导体中掺入微量()就可得到P型半导体
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