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对IGBT下列说法正确的是()
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对IGBT下列说法正确的是()
A. IGBT是MOSFET和GTR复合的产物
B. IGBT是MOSFET和GTO复合的产物
C. IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。
D. IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
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