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P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
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P-MOSFET栅偏压大于零时,漏源极之间才存在导电沟道的称为增强型。()
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增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
MOSFET型场效应管存放时,应使()(源或栅)极与()(源或栅)极短接,避免栅极悬空。
在场效晶体管的特性中,反映栅源电压对漏极电流的控制能力的是()
栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管,称绝缘栅场效晶体管。()
若使晶体三极管工作在()状态,必须使发射极加负偏压或零偏压,即使基极电流小于零,此时集电极一般也承受负偏压
对电压源置零时,电压源支路相当于短路
只有当信息价值大于零时信息才值得被收集和采用,这属于信息鉴别中的()。
所谓开启电压Usr,就是指开始出现导电沟道时的栅源电压()
通用知识:若使三极管工作在截止状态,必须使()加负偏压或零偏压。
实际电压源和电流源的内阻为零时,即为理想电压源和电流源()
净现值与现值指数之间存在一定的对应关系,当净现值大于零时,现值指数大于零但小于1()
零存整取客户漏存()个月,次月补存,仍按零存整取利率计算
对于绝缘栅型场效应管,不必注意避免栅极悬空,即栅、源两极之间必须经常保持直流通路()
基极电流等于零时三极管截止。
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()
控制角大于零时与控制角等于零时相比,整流出来的直流值是()。
P沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()
当感应调压器在零位,即输出电压为零时,其漏抗值为零()
在公差带图中,当偏差大于零时,位于()
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