交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。

QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（A标准电容器）A标准电容器B标准电感C标准电阻（） QS1电桥主要包括三部分（） 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（） 测量tgδ常用QS1电桥是按（）刻度的 写出5件QS1型西林电桥内部的主要元件。 简述5件QS1型西林电桥内部的主要元件。 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。 用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰（） 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？ 采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低（） 用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些 如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器． 如果QS1交流电桥的工作电压高于10kv，只能采用（）接线法，并配用（）标准电容器 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜 采用QS1电桥测量tan6正接线比反接线准确度低（） 采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。 采用QS1电桥测量t对nδ正接线比反接线准确度低（） 使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（） 采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。