产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是

抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起 兴奋性突触后电位（EPSP）和抑制性突触后电位（IPSP）共有的特点是（） 关于抑制性突触后电位（IPSP）产生的叙述，哪一项是错误的? 简述抑制性突触后电位的产生机制。   抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 产生抑制性突触后电位的主要离子流是 产生抑制性突触后电位的主要离子流是 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是（　　）。 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是（） 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位（　　） 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位（　　）。 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位