关于抑制性突触后电位（IPSP），下列叙述错误的是（）。

突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是（ ）。 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是 关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是： 抑制性突触后电位(IPSP)的形成机制是由于突触后膜对哪种离予通透性增加引起 下列对抑制性突触后电位描述中正确的是下列对抑制性突触后电位描述中正确的是（） 抑制性突触后电位是（　　）。 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是 抑制性突触后电位是（） 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位（　　） 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位 抑制性突触后电位（　　）。