抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对（）

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了（） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对()的通透性增加所致。 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对——的通透性增加所致（）。 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了——的通透性（）。 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。() 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种的离子通透性（） 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（） 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（） 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性（）   抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？() 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致(   ) 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 （ ） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致（） 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?() 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪组离子的通透性（） 快兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 抑制性突触后电位抑制性突触后电位（） 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致() 抑制性突触后电位是指突触后膜出现