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用以描述电子束的剂量分布的特定平面的参数是
单选题
用以描述电子束的剂量分布的特定平面的参数是
A. R85/2
B. U90/50
C. L90/L50
D. P80/20
E. U80/20
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对高能电子束等剂量曲线形状的错误描述是()。
关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()
描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()
电子束焊设备中用以产生和控制电子束的电子光学系统称为()。
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响,正确的是
电子束表面剂量随能量增加而
关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()?
关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确?
电子束会在铅挡和组织接触的界面处产生电子束的(),使界面处的剂量增加。
电子束和X(γ)线在皮肤表面共线相交,会使得X(γ)线照射野一侧出现剂量_______,电子束一侧出现剂量
电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比()
电子束焊的焊接参数主要有()。
下列对高能电子束描述正确的是()。
下列对高能电子束描述正确的是
电子束焊焊接参数易于精确调控,电子束流便于偏转,对焊接结构有广泛的适应性()
电子束剂量模型中尚未解决的问题不包括
不属于高能电子束百分深度剂量的是
电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是,照射野的执行与电子束射程比值()
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