三极管的发射区掺杂浓度最（）。

三极管的发射区是发射载流子，（）区是输送和控制载流子，（）收集载子 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度基区的（） 三极管的三个区分别是基电区、发射区和集区。 （ ） 半导体三极管的三个极是发射区（e）、基极（）、集电极（c）。 半导体三极管的发射区、基区和集电区引出相应的发射极、基极和集电极（） 晶体三极管有3个导电区：发射区、基区、集电区。 NPN型晶体三极管的发射区和集电区都是N型半导体,所以,它的发射区和集电区可以互换。（） 半导体三极管有三个极：发射区e、基极（）、集电极c NPN型三极管的集电区和发射区都是N型半导体，因此可以将三极管的C、E两个电极交换使用（） 晶体三极管中掺杂浓度最低的是()。 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 三极管有三个PN结和三个区——发射区、集电区、基区（） 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（） 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（） 发射区掺杂浓度 （高？低？） 晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（）。 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。 三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用（）