三极管处于正常放大时，硅管的V_BE约为（）V,锗管的V_BE约为（）

三极管按照材料可分为锗管和硅管（） 三极管加正向偏置时存在一个死区电压，锗管死区电压为（）V，硅管为（）V。 三极管各极对公共端电位如下所示，则处于放大状态的硅三极管是()。   一般来说硅三极管的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。(      )   三极管处于放大状态时（） 三极管处于放大状态时，（ ）。 三极管处于放大状态时()。   下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（） 中国大学MOOC: 测得放大电路中处于放大状态的晶体三极管的直流电位如下图所示。判断晶体三极管类型是NPN还是PNP型，判断其是硅管还是锗管。【图片】 下列为三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（） PNP型晶体三极管就是锗半导体三极管。（） 处于放大状态时，加在锗材料和硅材料三极管的发射结正偏电压分别为()。   三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态（） 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是NPN 型锗管。() 三极管放大电路中三极管处在（）。 三极管处于放大状态时，需满足（ ）。 某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 管（硅、锗）， 型，集电极管脚是 只要三极管的基极有电流，三极管就一定处于放大状态。（ ） 锗三极管正常工作时的‰。变化范围在（）之间。 为了保证三极管工作在饱和区，要求： ①发射结 偏置，集电结 偏置。②对于PNP型三极管，应使VBE （大于、小于、等于） 0