为了防止可控制硅的误导通，正向重复峰值电压VFRM应为正向转折电压VBCR（）

可控硅加正向电压即可导通，加反向电压即可关断。（） 单向可控硅导通后，控制极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于状态（） 断开门极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。 在控制极开路和正向阻断的条件下，允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压（） 可控硅正向电压大于正向转折电压时，呈________状态。 (76514)可控硅在正向电压上导通期间的( )称为导通角。[213210530](1.0分) (76515)可控硅在正向电压上导通期间的( )称为导通角。[213210530](1.0分) 要使可控硅导通，必须在阳极与阴极间加正向电压，控制极与阴极间加适当（） ()三相半波可控整流电路中，可控硅在承受正向电压时即导通。 单向可控硅触发导通，控制极即失去控制作用，即使控制极电压变为零，单向可控硅也仍然保持导通（） 晶闸管的正向重复峰值电压为680伏，反向重复峰值电压为840伏，则额定电压为伏 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（） 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（） 可控硅整流电路中，直流输出电压的大小是通过控制可控硅的导通（）来控制。 单相半波可控硅整流电路，可控硅承受的最大正向电压为输入电源电压的（） 晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压（） 可控硅反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（） 可控硅加上正电压，即阳极接正电压，阴极接负电压，可控硅可导通。 若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是V（） 若晶闸管正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压是V（）