晶体三极管的饱和电流越小越好（）

晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于（）偏置。 晶体三极管饱和时=0，电阻很小，相当于开关闭合（） 三极管的反向饱和电流受（）影响较大．是造成三极管不稳定的主要因素．越小越好。 晶体三极管的穿透电流越小，对温度的稳定性越好（） 晶体三极管饱和时Uce≈0，电阻很小，相当于开关闭合（） 晶体三极管电流放大倍数越大．说明三极管的性能越好（） 晶体三极管的穿透电流I_CEO越小，其稳定性越好。() 晶体三极管的穿透电流I_CEO越小，其稳定性越好。()   硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小（） 晶体三极管的β值越大越好。()   选用晶体三极管时,β值越大越好。( ) 晶体三极管的I_CEO越小，其稳定性能就越好。() 晶体三极管工作在饱和状态时 晶体三极管的电流放大倍数β值越大，说明该管的电流控制能力越强，所以三极管的β值越大越好（） 在选择晶体三极管时，通常要求选用管子的穿透电流（）越好。 三极管饱和是因为集电极电流太大引起的。 晶体三极管要处于饱和状态必须满足()。 晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）。 晶体三极管工作在饱和状态时，满足（）