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同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
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同类型探头,面积相同,频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
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斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。
晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越厚则()
晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越厚,则( )。
晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越厚,则()
晶片直径相同的超声波探头,频率高的其声束扩散角()
晶片直径相同的超声波探头,频率高的其声束扩散角()。
频率为2.5MHz、圆晶片直径为20㎜探头表示为()。
频率为2.5MHz、圆晶片直径为20㎜探头表示为()
频率和晶片尺寸相同,横波指向性比纵波好。
超声探头的晶片材料一定,晶片厚度愈小,频率愈高()
在同一材料中,如果提高某波形的超声波频率,则一定直径晶片的近场长度将()
若晶片直径D=24mm,频率f=4MHz,声速CL=6300m/s,求近场长度L0=?
探头的工作频率取决于晶片厚度和超声波在晶片材料中的
超声波探头的频率与压电晶片厚度有关,晶片越厚则()
超声波探头的频率与压电晶片厚度有关,晶片越薄则()
频率和晶片尺寸相同时,横波与纵波相比,其指向性()。
何种频率的探头具有最薄的石英晶片()
近场区长度在频率给定时,随晶片直径变小而()。
压电晶片的振动频率即为探头的工作频率,为了得到较高效率,要使晶片在共振状态下工作,此时晶片的厚度为()
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它是随频率增加、晶片直径减小而增大()
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