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晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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晶体管的集电区和发射区的导电类型相同,所以集电区和发射区颠倒使用,放大能力不变()
晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()
从三极管制造工艺上看,发射区掺杂浓度( ),用来发射载流子;
晶体三极管有3个导电区:发射区、基区、集电区。
三极管的基区很薄,且掺杂浓度( )
晶体管都是由掺杂半导体做成的
晶体管都是由掺杂半导体做成的。(6271)()
发射区与基区之间的PN结称为
基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将()全部占据时,集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是()基区宽度、()基区掺杂浓度。
晶体三极管有3个导电区,其中基区与发射区之间的PN结被称为()。
PN结位于发射区与基区之间被称为()。
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区,即发射区、基区和()。
三极管的结构有三个区:()()()。要使三极管有放大作用,要求:发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。()区掺杂浓度较大,以利于发射大量的载流子;()区很薄,掺杂少,便于载流子通过;()区较厚,掺杂少,便于收集载流子。
晶体三极管有基区.发射区和集电区等三个导电区;有基极.发射极和集电极等三个电极;有放大.截止和饱和三种工作状态()
晶体管放大器的输入电阻即为输出电阻,且等于晶体管内阻。()
工作在放大区的晶体管发射结 且集电结
为了保证三极管的电流放大.一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小,另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、()。
三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
中国大学MOOC: NPN双极型晶体管具有放大作用,要求基区宽度足够小。原因不包括( )。
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