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在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷为()
单选题
在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷为()
A. 肖脱基缺陷
B. 弗兰克尔缺陷
C. 间隙缺陷
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实际金属中原子排列的不完整性称为晶体缺陷。按照晶体缺陷的几何特征分类,空位属于哪一种缺陷?
在缺陷运动过程中,当一个间隙原子与一个空位相遇时,将落入空位使两种缺陷都消失的过程为()
晶体中的间隙原子属于()。
按形成晶体缺陷的原子种类可将晶体缺陷进行分类,其中由局部的成分与基体不同导致的缺陷称为()
在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。
在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。
晶体中原子排列的不规则性称为晶体缺陷,根据晶体缺陷的几何特征,可分()
晶体中由于存在空位、位错等结构缺陷,会造成晶格畸变,使金属的强度降低。
间隙扩散指的是扩散原子通过晶体的间隙位置而迁移()
在本征半导体中掺入少量3价元素形成P型半导体,每个3价原子与周围原子构成共价键时因缺少一个价电子而产生一个空位,这个空位夺取附近
晶体中原子排列的不规则性称为晶体缺陷,根据晶体缺陷的几何特征,可分为点缺陷、线缺陷和()三类。
外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子,杂质原子既可以进入间隙位,也可以取代原有原子进入正常结点位置()
晶体中原子排列的不规则性称为晶体缺陷,根据晶体缺陷的几何特征,可分为_三类()
杂质原子进入晶体中正常结点之间的间隙位为填隙原子或填隙离子()
化合物VC晶体中的C原子位于晶胞的间隙位置,故VC晶体结构与金属V的晶体结构相同
冷变形金属中产生大量的空位、位错等缺陷,这些缺陷的存在,()
按照晶体结构缺陷形成的原因,可将晶体结构缺陷的类型分为()。
点缺陷是指局部区域只有原子尺寸那么大的微小晶体缺陷()
影响形成晶体的原子半径的因素有哪些?
晶体产生肖特基缺陷时,晶体体积和密度分别()
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