在常温下,硅二极管的开启电压约为

二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。 硅二极管加正向电压（） 锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高（） 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 二极管正向特征中有一死区，一般硅二极管的死区电压约为（）,锗二极管的死区电压约为（）   二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压约为（） 硅二极管的死区电压为 硅二极管的死区电压约为（） 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 发光二极管（LED）的开启电压和击穿电压与普通二极管的开启电压和击穿电压相比为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（） 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于( )。 当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（） 当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）