绝缘栅型场效应管简称MOS 管，M 是指          ,O是指         ,S 是指         。  

耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。（ ） 场效应管按其结构不同可分为结型与绝缘栅型场效应管，但它们均有三个电极（） MOS场效应管是电流控制器件。 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（） 绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（） 绝缘栅型场效应管放大器的输入电阻比结型场效应管和三级管所构成放大器输入电阻大（） 所谓增强型场效应管是指当uGS=0时有导电沟道 绝缘栅型场效应管从导电载流子的带电极性来看，可分为（） 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（） 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。 N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴（） 开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数 场效应管是（????）控制型器件。 中国大学MOOC: 结型场效应管为增强型场效应管。 额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。() IGBT的结构和工作原理?IGBT中文全称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成复合全控型电压驱动式功率半超导体器件,具有驱动功率小,饱和降低等特点) 增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时（） 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件 增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。() 场效应管是（）。