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可控硅正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()
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可控硅正向阻断峰值电压的数值,规定比正向转折电压小()
A. 100V
B. 120V
C. 150V
D. 180V
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可控硅的正向阻断条件是()
可控硅导通后,要使可控硅由导通转为阻断,须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行,通常取()
可控硅导通后,要使可控硅由导通转为阻断,须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行,通常取()
单相半波可控硅整流电路,可控硅承受的最大正向电压为输入电源电压的()
可控硅加正向电压即可导通,加反向电压即可关断。()
要使可控硅导通,必须在()间加上正向电压,同时加以适当的正向控制极电压。
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大很多()
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。
一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多()
可控硅不仅具有反向阻断能力,而且还具有正向阻断能力()
可控硅不仅具有反向阻断能力,而且还具有正向阻断能力()
在控制极开路和正向阻断的条件下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压,称为正向阻断峰值电压()
在三相半波可控硅整流电路中,可控硅在承受正向电压并有触发信号时()
单向可控硅导通后,控制极G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于状态()
可控硅的正向电流维持电流时,可控硅将自动关断()
()三相半波可控整流电路中,可控硅在承受正向电压时即导通。
(76515)可控硅在正向电压上导通期间的( )称为导通角。[213210530](1.0分)
(76514)可控硅在正向电压上导通期间的( )称为导通角。[213210530](1.0分)
为了避免可控硅整流输出电压失控,在感性负载上并联一正向二级管(二极管正极与可控硅阴极相连)。
为了避免可控硅整流输出电压失控,在感性负载上并联一正向二级管(二极管正极与可控硅阴极相连)()
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