PN结形成初期,下列哪种说法是正确的？（）

下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是______。 下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是（）。 关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有（） PN结反向偏置时,PN结的内电场。PN结具有特性 PN结形成后，空间电荷区由（）构成 以下对PN结描述正确的是()。   硅片摻杂后形成PN结，PN结具有单向导电性，电流由P级流向N级处于（） 下列关于PN结的单向导电性，正确的是：（ ） PN结的扩散电流是载流子在电场作用下形成的（） P型半导体和N型半导体结合后便形成PN结，PN结中存在着（）种载流子的运动 若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结反向漏电流大，反向击穿电压高。() PN 结加反向电压时,PN结变____、反向电流较____、反向电阻较____、PN结处于____状态 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的 PN结的单向导电性就是：加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。 PN结的伏安方程为。该方程反映出PN结的基本特性是特性。此外，PN结还有效应和特性 对于PN结,设P区电位为Up、N区点位为UN,说法正确的是 。() 关于PN结下列说法正确的是（ ）。 关于PN结下列说法正确的是：（）。 PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态（） PN 结正偏时，PN 结的电阷径大。