多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是低？高选择比意味着什么？ 多晶硅片生成流程中不包括？（） 下列属于多晶硅制备的方法有（） 含硅量≥99.9999999%的多晶硅废 膜电极法测溶解氧是根据膜对氧的选择性吸收。 A.选择性高 对β2受体选择性高的平喘药是 多晶硅组件温度损失通常在-0.4%/℃（） 对心脏选择性高，对缺血心肌有保护作用的是 对心脏选择性高，对缺血心肌有保护作用的是（） （报关编码） 含硅量≥99.9999999%的多晶硅废 简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。 简述低温多晶硅薄膜晶体管特点 在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。 非选择性环氧酶抑制药有（） 单晶硅与多晶硅的根本区别是（） 自动选择性调节的积分饱和现象就是变送器输出达到最大值的过程（） 属前体药物，对环氧合酶-2 选择性抑制作用（） 属前体药物，对环氧合酶-2选择性抑制作用 以上对环氧酶-2有选择性抑制作用的药物是