SRAM和DRAM的相比较，下列说法正确的是（）

SRAM与DRAM相比，前者的外围电路更复杂 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） 下列关于随机存储器的叙述中,正确的是: DRAM中存储的数据无需刷新|DRAM的存取速度比SRAM快|RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类|SRAM的集成度比DRAM高 从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM。 从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM TTL与非门和TTL非门相比较，下列说法正确的是()。 与DRAM相比，静态RAM、SRAM的容量与读写速度为（） 端铣和周铣相比较，正确的说法是（） 下列关于乙烯和乙烷相比较的说法中，不正确的是（） 简述SRAM和DRAM的各自特点。 简述SRAM和DRAM的各自特点 磁性探伤与渗透探伤相比较，下列说法正确的有（　）。 SIM卡和USIM卡相比较，以下说法正确的是（） 相同体积的热水和冷水相比较，下列选项中说法正确的是（）。 麻黄与桂枝相比较，正确的说法是（） 地形测量与施工放样相比较，下列说法正确的是（） 铅蓄电池和镉-镍蓄电池相比较，下列说法正确的是（）。 动态存储器件（DRAM）与静态存储器件（SRAM）相比，其特点是（） 磁性检测与渗透检测相比较的下列说法中. 正确的是（） 磁性检测与渗透检测相比较的下列说法中，正确的是（）。