可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大（）

可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等 可控硅的阳极直流电位是20v，阴极电位是OV，给控制极3V触发电压，此时可控硅导通，当取消3V触发电压时，可控硅（） 用小容量可控硅触发大功率可控硅的触发电路的缺点是还需要触发小可控硅，用的元件比较多（） 可控硅触发电路包括方波电源及其削波稳压电路，移相触发电路、偏移电路、给定电路、电流反馈电路、电压（）。 可控硅的导通条件是在控制极上加触发电压（） 可控硅的导通条件是在控制极上加触发电压。 当温度降低时，可控硅的触发功率（）。 可控硅导通后即使触发电压消失,由于作用仍能保持导通（） 单向可控硅导通后，控制极G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于状态（） 可控硅过电流优先触发的保护是（） 可控硅在导通以后，触发脉冲即不起作用，要使可控硅关断，只有将可控硅阳极电流少于维持电流（） 保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM 保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM。 可控硅阻容以移相桥触发电路，空载时的移相范围是（）。 ()可控硅桥式移相触发电路，触发信号为正弦波，故导通点不稳定。 可控硅桥式移相触发电路，触发信号如为正弦波，则导通点不固定。（） 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、（）、可控硅监视单元和光纤传输设备组成。 对于可控硅锯齿波触发电路，若不加倒相级，该电路移相范围为（） 双向可控硅的触发方式有（）