半导体或芯片的0.25um、0.18um、90nm、65nm工艺指的是什么？

提高半导体特性芯片的晶元中有加入砷，为提高半导体性能（） 以半导体芯片为存储介质的设备（）。 只能除去60-90um灰尘的除灰设备称为（）。 只能除去20-90um灰尘的除灰设备称为（）。 干膜厚度测试，标准范围在20-90um之间。 需要定时刷新的半导体存储芯片是： 增压机轴振动（）um报警；增压机轴振动（）um停机 波长间隔：紫外区5nm，可见区10nm，近红外区50nm或40nm，远红外区0.5μm。 用千分表对以离心泵叶轮外圆作径向跳动检测时，测得0°，60°，120°，180°240°，300°六个方位的跳动数据分别为210um，230um，240um,250um,200um,180um.由此得出该叶轮的径向跳动量为um（） 多模光缆有两种，50um、62、5um为纤芯直径，125um为包层直径，单模光缆只有一种，9um为纤芯直径，125um为包层外直径（） 光功率计设定的波长有850nm.980nm.1300nm.1310nm.1490nm.等（） 红光的LED发光管是一种能把电能转变为（）的半导体器件，其波长在620-680nm范围之间。 1550波长测试距离更远，1550nm比 1310nm光纤对弯曲更敏感，1550nm比1310nm单位长度衰减更小、1310nm比1550nm测的熔接或连接器损耗更高。 1550波长测试距离更远，1550nm比 1310nm光纤对弯曲更敏感，1550nm比1310nm单位长度衰减更小、1310nm比1550nm测的熔接或连接器损耗更高（） 变桨电机的最大的转矩为65Nm。 变桨电机的最大的转矩为65Nm（） 蓝绿圆电极向芯片边沿方向挤电极不超出绝缘线2um以内允收（） 用于半导体照明的芯片技术的发展主流是什么？ 半导体芯片生产中，离子注入主要是用来（）。 下列不是半导体存储芯片的性能指标。()