试述电沉积纯金基底冠陶瓷烧结技术

金属烤瓷冠的基底冠厚度不能小于（） 金瓷冠的基底冠厚度至少为 金瓷冠的基底冠厚度至少为 金属烤瓷冠的基底冠厚度至少为（）   试述烧结生产中“自动蓄热现象”扬长避短的技术对策。 金属烤瓷冠的基底冠厚度不能薄于 金属烤瓷冠的基底冠厚度不能薄于 基底膜内有致密物沉积（） 基底膜内有致密物沉积（） 金属基底冠常规厚度是 金属基底冠常规厚度是（）。 烤瓷冠桥金属基底冠蜡型叙述正确的是 金瓷冠的基底冠金瓷衔接处的角度（） 贵金属金瓷冠基底冠厚度最少不低于 下列关于金属烤瓷冠的基底冠设计，错误的是（　　）。 金属基底冠过薄将导致 普通陶瓷是以下列()为原料，经成型、烧结而成。 试述化学沉积分异作用，及其沉积顺序？并评价之。 以下关于金瓷冠基底冠的描述，错误的是 以下关于金瓷冠基底冠的描述，错误的是