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紧接压电晶片，声压分布不规则的超声场区域称为近场区。
活塞波声场，声束轴线上最后一个声压极大值到声源的距离称为（）
超声场近场区内声压分布不均匀、起伏变化是由于波的干涉造成的。
声源辐射的超声能量，总是声束中心线上的声压最高。
超声场远场中的声压以边缘线上为最高（）
超声场远场区中的声压以边缘波线上为最高。
超声场可分为近场区和远场区，波源轴线上最后一个声压极大值的位置至波源的距离称为超声场的近场区长度。
超声波远场区的声压以中心轴线上声压最高（）
当缺陷靠近工件边界时，由于侧壁反射波与直接入射波在缺陷处产生干涉，使声场声压分布发生变化，声束轴线发生偏离，使缺陷定位误差增加（）
测定探头的K值或βs应在近场区内进行，因为近场内声压最高点在声束轴线上，测试误差小。
下列关于超声束（声场）描述，正确的是（）
晶片尺寸相同，超声场的近场长度愈短，声束指向性愈好。
在超声场中，（）声压随距离增加单调减少。
超声波探头辐射的声场中，声压以（）最高。
采用纵波超声波检测法进行检测时，容易较准确地探测出：（）。
下列关于超声束(声场)的描述，正确的是
下列关于超声束(声场)描述，不正确的是（）。
活塞波声源的声束轴线上最后一个声压极大值到声源的距离是（）。
活塞波声源的声束轴线上最后一个声压最大点到声源的距离称为（）
超声束的形态与CT的X线束不同，超声的声束（）。
