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三相半控桥式整流电路任一相可控硅的触发脉冲,应在控制角α为()区间的发出
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三相半控桥式整流电路任一相可控硅的触发脉冲,应在控制角α为()区间的发出
A. 0~60
B. 0~90
C. 0~120
D. 0~180
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在三相半控桥式整流电路中,可控硅的最大导通角是180°。
三相桥式全控整流电路需用脉冲触发()
三相半控桥整流电路对触发脉冲的要求与三相半波可控整流相同,一个周期需间隔为1200的三个触发脉冲()
晶闸管三相半控桥式可控整流电路采用()
在三相半波可控硅整流电路中,可控硅在承受正向电压并有触发信号时()
三相半控桥式整流电路中,每只可控硅流过的平均电流值是负载电流的1/6()
下列哪种电路会出现变压器铁心直流磁化现象: 三相半波可控整流电路 三相桥式全控整流电路 单相桥式全控整流电路 单相桥式半控整流电路
在三相半控桥式可控整流电路中,触发延迟角α的最大移相范围是()
三相桥式全控整流电路晶闸管应采用双窄脉冲触发()
在三相半波可控硅整流电路中,可控硅在承受反向电压时()
由一组共阴极三相半波可控整流电路和一组共阳极三相半波可控整流电路()组成的电路,称为三相桥式全控整流电路
三相半波可控整流电路中,各相触发脉冲相差为()
三相半波可控整流电路各相触发脉冲相位差()
半控桥式整流电路中,如果其中一个可控硅的触发脉冲丢失,会发生什么现象?
三相桥式全控整流电路,要求触发脉冲的间隔是()
三相桥式全控整流电路对触发脉冲的要求为()。
三相桥式全控整流电路,要求触发脉冲的间隔为()。
三相桥式全控整流电路,要求触发脉冲的间隔为()
三相半控桥式整流电路,其阴极组晶闸管触发脉冲间相位差为()
单相半桥可控硅整流电路的二组触发脉冲,相位依次相差()。
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