要使三极管工作在截止区,则需发射结反偏,集电结反偏

三极管的放大条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管的饱和条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（） 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) 三极管的发射结反偏，集电结正偏时，三极管处于（ ）状态。 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，工作在 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。 三极管工作在放大状态的外部条件是发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。() 晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 三极管工作在截止状态时，集电结、发射结构正偏。 三极管工作在截止状态时，集电结、发射结构正偏（） 三极管放大区的放大条件为发射结正偏，集电结反偏。 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为（7）（） 三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结也正偏（） 三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏（）