硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。

N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（） 晶片共振波长是晶片厚度的倍（） 晶片的振动频率与晶片厚度成反比关系，即晶片厚度越，振动频率越（） 探头的压电晶片实际尺寸有效晶片尺寸（） （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。 探头的压电晶片实际尺寸什么有效晶片尺寸（） 瓷环孔直径选择：=晶片对角尺寸＋0.2～0.5mm。上电极选择：晶片长边尺寸≤4.0mm，上电极直径为2mm，晶片长边尺寸＞4.0mm，上电极直径为4mm。 晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则（） 晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越厚,则( )。 晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（） 方晶片探头比圆晶片探头指向性要好，是因为（） 压电晶片，通过逆压电效应产生超声波。（） 压电晶片，通过逆压电效应产生超声波。（） 超声探头的晶片材料一定，晶片厚度愈小，频率愈高（） B型超声诊断仪晶片可以吸收（） 超声波探头的频率与压电晶片厚度有关，晶片越薄则（） 超声波探头的频率与压电晶片厚度有关，晶片越厚则（） 发射电路是产生高频振荡脉冲，用于激励探头晶片产生超声脉冲（） 钢轨探伤所用探头基本上都是双晶片探头（） 面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的声束指向角相同。