半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏（）

三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。 三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态（） 三极管处于放大工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 当发射结和集电结都反偏时,则半导体三极管处于 三极管的发射结反偏，集电结正偏时，三极管处于（ ）状态。 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。 出头教育: 对于半导体三极管，测得其发射结、集电结均正偏，此时该三极管处于（　） 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结反偏（） 三极管要处于发射结正偏，集电结反偏就一定是放大状态。（） 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏（） 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 三极管发射结零偏或反偏，集电结反偏，该三极管处于（）。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结（）。 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏，集电结正偏