设二极管为理想二极管，反向击穿电压为20V，R为1kΩ，E为5V，求UD、UR、I（）

当二极管两端所加电压大于反向击穿电压UBR时，二极管伏安特性处于特性 一个二极管的反向击穿电压为 50V，当反向电压为 40V 时，该二极管（ ）。 一个二极管的反向击穿电压为 60V，当反向电压为 50V 时，该二极管（ ）。 硅材料稳压二极管的反向击穿电压为（） 一个二极管的反向击穿电压为 50V，当反向电压为 40V 时，该二极管处于（ ） 当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的1/3（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压。（） 晶体二极管的最高反向电压就是该管的反向击穿电压（） 二极管反向工作峰值电压，一般是反向击穿电压的（） 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。 稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态 晶体二极管的最高反向电压为反向击穿电压值的()或()。 晶体二极管的最高反向工作电压是取反向击穿电压的（）。 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（） 二极管的最高反向工作电压一般取其反向击穿电压的（）。 二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压（） 普通二极管的反向击穿电压一般在()V以上。 二极管的反向击穿电压是固定的，不会随温度变化。（ ） 若加在二极管上的反向电压超过击穿电压值，则二极管会损坏