中国大学MOOC: 某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0(低)，双向数据总线D7-D0(低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM(4kB/片)和RAM(2K×4位/片)。需要RAM芯片数量为（ ）

中国大学MOOC: 半导体PN结的电特性是指：（ ） 中国大学MOOC: 8086 CPU对I/O接口的编址采用了（ ）。 中国大学MOOC: 金属和半导体接触的整流特性可用于？ 中国大学MOOC: 半导体生产中常用的薄膜类型有（）。 某半导体存储器容量为2MB，按字节编址，选用芯片为256K*4，则此存储器需要的芯片数量为（） 地址编号从 80000H 到 BFFFFH 且按字节编址的内存容量为（ ） KB 地址编号从 80000H 到 BFFFFH 且按字节编址的内存容量为（）KB 中国大学MOOC: n型半导体的导电载流子主要是 。（电子/空穴） 中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是（）。 中国大学MOOC: 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。 中国大学MOOC: 分类编址情况下，路由项中目的网络字段给出（）。 中国大学MOOC: 发射区与（ ）区是同种类型的半导体。 中国大学MOOC: 芯片是半导体元件产品的统称，又称为什么？ 中国大学MOOC: 半导体制造工艺中掺杂的主要目的是（）。 中国大学MOOC: 半导体器件对　　　　　　　　敏感，这会导致器件性能的不稳定。 某半导体存储器容量为2MB,按字节编址，选用芯片为256Kx4,则此存储器需要片选信号产生的逻辑部件为（） 中国大学MOOC: 以下有关统一编址方式的描述中，错误的是 （ ）。 按字节内存编址，从A1000H到B13FFH的区域的存储容量为（）KB。 内存按字节编址，从 A1000H 到 B13FFH 的区域的存储容量为（）KB 按字节内存编址，从A1000H到B13FFH的区域的存储容量为（）KB