霍尔元件产生的霍尔电势 的大小与以下哪一项无关( )

霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔元件产生的霍尔电压为（）级 霍尔信号发生器是当霍尔元件时产生霍尔电压（） 霍尔电压的大小与自由电子浓度和霍尔片的厚度无关（） 霍尔电势UH与磁感应强度B、控制电流I、霍尔元件灵敏度KH的关系是▁▁ 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的（）转换成霍尔电势，从而实现压力测量。 霍尔电势与（ ）成反比 霍尔电势与（）成反比 霍尔传感器中的霍尔元件采用金属材料，而不采用半导体材料，是因为金属材料所产生的霍尔电势比半导体材料大 霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成，因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化，致使霍尔电势变化，产生温度误差（） 霍尔式信号发生器中，当叶片气隙时，霍尔元件产生霍尔电压（） 减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是 _______ 减小霍尔元件的输出不等位电势的办法是( )。 霍尔元件产生的霍尔电压与磁场强度成 （选填正比或反比） 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比（） 霍尔电压与通过霍尔元件的电流强度（） 霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比（） 磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与原磁场强度相反(θ=180°)时，霍尔电势()，因此霍尔元件可用于测量交变磁场。