突触后膜的膜电位在递质作用下产生去极化改变，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性下降，这种电位变化称为IPSP（）

兴奋性突触后电位发生时，突触后膜膜电位的特征是 突触后膜出现（）极化，称为抑制性突触后电位。 在突触传递过程中，兴奋性递质作用于突触后膜所引起的突触后膜的电位变化是（） 抑制性突触后电位使突触后膜超极化，与之相关的离子通道是（） 在突触传递过程中，突触前膜去极化可促使： 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位。 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位。 当突触末梢释放的递质与突触后膜结合后，抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位（） 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是 兴奋性突触后电位产生时，突触后膜出现的电改变是 使膜电位去极化的因素是（） 使膜电位去极化的因素是( ) 使膜电位去极化的因素是（） 突触传递过程中，使突触后膜产生Cl-内流为主的电位变化是( ) 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（） 动作电位产生的基本条件是使跨膜电位去极化达到（） 抑制性递质与突触后膜受体结合引起突触后膜（） 兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜主要（） 突触后膜超极化 突触后膜超极化