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PECVD紧随LPCVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温()
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PECVD紧随LPCVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温()
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