设某二极管反向电压为10V时，反向电流为0.1μA。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温降低10℃，反向电流大约为（）

一个二极管的反向击穿电压为 60V，当反向电压为 50V 时，该二极管（ ）。 由二极管的特性曲线可以看出，当二极管的反向电压增加时，反向饱和电流（） 如果二极管的反向电压大于最大反向电压，则二极管可能（） 二极管加反向电压时，二极管处于截止状态，此时没有电流通过二极管（） 一个二极管的反向击穿电压为 50V，当反向电压为 40V 时，该二极管处于（ ） 二极管反向电压增加到一定程度以后，反向电流减小。二极管反向电压增加到一定程度以后，反向电流减小（） 在图示的二极管电路中，设二极管D是理想的（正向电压为0V，反向电流为0（） 二极管的最高反向工作电压等于二极管的反向击穿电压。() 二极管外加反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大，且二极管会被迅速击穿烧毁。() 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（） 二极管的最高反向工作电压（峰值）就是二极管反向击穿电压值。 当二极管两端的反向电压超过其反向击穿电压时，二极管会（ ） 二极管反向截止时，反向电阻大，反向电流约为0（） 硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（小）（） 二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。() 在二极管加反向电压时，会形成（）的反向电流，且反向电压不超过某一范围时，反向电流大小（）。 反向电流是衡量二极管反向特性的一个重要参数，反向电流大，二极管性能就好（） 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（） 二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。