2025年高职单招《电子技术基础》每日一练试题01月08日

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<p class="introTit">判断题</p><p>1、二极管的最大整流电流指二极管允许通过最大电流的瞬时值。()</p><p>答 案:错</p><p>解 析:二极管的最大整流电流指二极管允许通过最大电流的平均值。故错误。</p><p>2、在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()</p><p>答 案:对</p><p>解 析:三价元素产生的空穴可以中和五价元素的自由电子,当空穴足够多时,就能将N型半导体改型为P型半导体。故正确。</p><p>3、滤波的作用主要是去掉脉动电压中的交流成分,使之成为平滑的直流电压。()</p><p>答 案:对</p><p>解 析:滤波电路的作用是将脉动直流电压转变为平滑的直流电压。故正确。</p><p class="introTit">单选题</p><p>1、某硅二极管的反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压为()  </p><ul><li>A:约等于150V</li><li>B:可略大于150V</li><li>C:不得大于40V</li><li>D:等于75V</li></ul><p>答 案:D</p><p>解 析:为了确保二极管安全工作,最高反向工作电压通常取反向击穿电压的一半,因此硅二极管的反向击穿电压为150V时,其最高反向工作电压为75V。故D正确。</p><p>2、当温度升高时,半导体的电阻率通常将()  </p><ul><li>A:变大</li><li>B:变小</li><li>C:不变</li><li>D:无法确定</li></ul><p>答 案:B</p><p>解 析:当温度升高时,大多数半导体的导电能力增强,电阻率变小。故B正确。</p><p>3、二极管的主要特点是具有()  </p><ul><li>A:电流放大作用</li><li>B:单向导电性</li><li>C:稳压作用</li><li>D:功率放大作用</li></ul><p>答 案:B</p><p>解 析:二极管正向接入时电阻趋于零,相当于短路;反向接入时电阻趋于无穷大,相当于开路,因此二极管的主要特点是具有单向导电性。故B正确。</p><p class="introTit">主观题</p><p>1、如图所示二极管电路,试用二极管理想模型分析、判断图中的二极管是导通还是截止,并求出U<sub>ab</sub>。 <img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce52887c97.png" /></p><p>答 案:设1V电源的负极为电位参考点,则二极管两端的电位V<sub>正</sub>=1V, <img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce533d9cca.png" />因V<sub>正</sub><V<sub>负</sub>,故二极管截止,U<sub>ab</sub>=2V。</p><p>2、一限幅电路如图所示,已知R=1kΩ,V<sub>RE</sub><sub>F</sub>=3V,二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解以下两问: (1)当u<sub>I</sub>=0V、4V、6V时,求相应的输出电压uo的值; (2)当u<sub>I</sub>=6sin<img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce54ed912d.png" />V时,绘出相应的输出电压uo的波形。 <img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce554819bd.png" /></p><p>答 案:(1)理想模型电路如图甲所示。 当u<sub>I</sub>=0V时,二极管截止,R中无电流,所以uo=u<sub>I</sub>=0V。 当u<sub>I</sub>=4V时,大于V<sub>REF</sub>,二极管导通,管压降为0V,uo=V<sub>REF</sub>=3V。 当u<sub>I</sub>=6V时,同理,u<sub>o</sub>=V<sub>AEF</sub>=3V。 恒压降模型电路如图乙所示,硅二极管U<sub>AD</sub>=0.7V。 当u<sub>I</sub>=0V时,二极管截止,所以uo=u<sub>I</sub>=0V。 当u<sub>I</sub>=4V时,大于V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>,二极管导通,uo=V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>=(3+0.7)V=3.7V。 当u<sub>I</sub>=6V时,同理,uo=V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>=3.7V; (2)由于所加输入电压为振幅等于6V的正弦电压,正半周有一段幅值大于V<sub>REF</sub>。 对于理想模型,当u<sub>I</sub>≤V<sub>REF</sub>时,uo=u<sub>I</sub>;当u<sub>I</sub>>V<sub>REF</sub>时,uo=V<sub>REF</sub>=3V,波形如图丙所示。对于恒压降模型,当u<sub>I</sub>≤(V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>)时,uo=u<sub>I</sub>;当u<sub>I</sub>>V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>时,uo=V<sub>REF</sub>+U<sub>AD</sub>=3.7V,波形如图丁所示。 <img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce55fee695.png" /></p><p>3、在如图所示电路中,二极管VD为理想状态,根据电路中标出的各元件的参数,解答下列问题。 <img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce4f426166.png" /> (1)二极管VD为导通状态还是截止状态? (2)求AO两端电压U<sub>AO</sub>。 (3)求电流I的大小。  </p><p>答 案:(1)因为2V<8V,所以二极管处于导通状态。 (2)AO两端电压U<sub>A</sub><sub>O</sub>=-2V-U<sub>VD</sub>=(-2-0)V=-2V。 1=83k2Y=2mA。 (3)电流<img src="https://img2.meite.com/questions/202501/07677ce4fa967df.png" />。  </p><p class="introTit">填空题</p><p>1、在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。(均选填“大于”“小于”或“等于”)  </p><p>答 案:等于;小于;大于</p><p>解 析:在本征半导体中,自由电子浓度等于空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度小于空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度大于空穴浓度。</p>
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